Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SICW025N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW025N065H4-BP
Price: 11.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-SICW025N065H4-BP

Herst.- Nr.:

SICW025N065H4-BP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SICW025N065H4-BP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H4-BP

Auf Lager: 360

Lagerbestand:: 360 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 11,63	€ 11,63
	€ 8,68	€ 86,80
	€ 7,51	€ 751,00
	€ 7,11	€ 3 555,00
	€ 6,64	€ 6 640,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	107 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.1 V
Qg - Gate-Ladung:	275 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18.2 S
Verpackung:	Bulk
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SICW025N065H4-BP Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs sind 650 V Hochgeschwindigkeits-Schaltungs-SiC-MOSFETs. Diese MOSFETs nutzen die SiC-MOSFET-Technologie, eignen sich hervorragend für Hochspannungsapplikationen und bieten einen zuverlässigen Betrieb in rauen Industrieumgebungen. Die SICWx MOSFETs sind mit niedrigem R_DS(on)und niedriger Gate-Ladung ausgelegt, um Schaltverluste zu reduzieren und zu einem höheren Gesamtsystemwirkungsgrad beizutragen. Das leistungssteigernde Design und das TO-247-Gehäuse liefern eine hervorragende thermische Leistung, während die 3-Pin- oder 4-Pin-Optionen (Kelvin-Source-Pin) die Vielseitigkeit verbessern. Die SICWx MOSFETs haben ein robustes Design und sind Avalanche-fähig, um ein besseres Wärmemanagement und einen besseren Wirkungsgrad zu ermöglichen. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in Netzteilen, Telekommunikation, erneuerbaren Energiesystemen und Motorantrieben.