HiPerFET Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs DIODE Id12 BVdass800
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3