18 GHz Halbleiter

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Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 365Auf Lager
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: 500


MACOM Pin-Dioden CW=3Watts Recovery time 15ns 400Auf Lager
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20Auf Lager
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Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518Auf Lager
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: 500

MACOM Pin-Dioden 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2 875Auf Lager
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: 3 000

Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 29Auf Lager
500erwartet ab 06.07.2026
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Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 454Auf Lager
7erwartet ab 29.06.2026
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Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 1Auf Lager
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MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750erwartet ab 15.09.2026
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: 250

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100erwartet ab 10.07.2026
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Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Vorlaufzeit 16 Wochen
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Nein
Analog Devices Vorteiler (Prescaler) InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Nein
Microchip Technology Pin-Dioden Si Limiter Hermetic Microstrip Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Nein
MACOM MA4L011-134
MACOM Pin-Dioden Diode,Pin,Chip,Oxide Vorlaufzeit 16 Wochen
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70Auf Lager
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