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IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 0.8 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

726-IRFB4620PBFXKMA1

Herst.- Nr.:

IRFB4620PBFXKMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IR FET >60-400V

Datenblatt:

IRFB4620PBFXKMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AB-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	72.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	144 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22.4 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.4 ns
Artikel # Aliases:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.