EasyPACK™ TRENCHSTOP™-IGBT7-Module

Infineon Technologies EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7-Module basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie. Dies führt zu geringeren Verlusten und bietet ein hohes Maß an Kontrolle. Der Chip ist speziell für Industrieantriebsapplikationen optimiert. Die Module bieten geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und weicheres Schalten. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C im Leistungsmodul erhöht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
Datenblatt
26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray