Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Qg in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

Arten von diskreten Halbleitern
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Montageart
Verpackung/Gehäuse

IXYS MOSFETs TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 850V 14A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 650V/18A OVERMOLDED TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 650V/8A TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-268HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO252 850V 4A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3