650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 42
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Datenblatt
265Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Datenblatt
1 416erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
Datenblatt
242erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-263
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3