Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 761Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 931Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 646Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 187Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 852Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR 2 576Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 634Auf Lager
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