Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 198
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFET-Module 29 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs 4 Amps 1000V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 1KV 5A N-CH POLAR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
IXYS MOSFETs 4 Amps 800V 1.44 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFETs 54 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 65 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 94 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 133 Amps 100V 0.0075 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 49 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 0.5 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 14 Amps 800V 0.42 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 65 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 30A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 32 Amps 1000V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 20 Amps 800V 0.29 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 20A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 500V 24A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs DIODE Id26 BVdass800
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 48A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 500V 64A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3