Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
Datenblatt
89Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFETs 75 Amps 200V 0.018 Rds
Datenblatt
30Auf Lager
300erwartet ab 25.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Datenblatt
168Auf Lager
510erwartet ab 25.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET-Module 180 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
1 261Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 32 Amps 1200V
Datenblatt
589erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Datenblatt
617erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
Datenblatt
2 948erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 26A
Datenblatt
600erwartet ab 30.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
Datenblatt
600erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Datenblatt
300erwartet ab 24.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Datenblatt
650erwartet ab 22.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFETs DIODE Id14 BVdass800
Datenblatt
240erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 500V 22A
Datenblatt
300erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 500V 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs DIODE Id12 BVdass800
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3