Arten von Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 11
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datenblatt
1 090Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
143Auf Lager
450erwartet ab 03.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datenblatt
589Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
4 934Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Datenblatt
1 190erwartet ab 12.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
1 291erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1