Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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785Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden AECQ
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442erwartet ab 06.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden AECQ
Datenblatt
325erwartet ab 09.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
450erwartet ab 23.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diskrete Halbleitermodule Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diskrete Halbleitermodule SIC Pwr Module Chopper
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden DIODE: 8A 600V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2