Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 180A 250V
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52Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
Datenblatt
14Auf Lager
300erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Datenblatt
261Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
Datenblatt
146Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 130Amps 200V
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Datenblatt
96Auf Lager
300erwartet ab 25.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Datenblatt
73Auf Lager
1 230Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
847Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
Datenblatt
150Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
Datenblatt
235Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
Datenblatt
40Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
Datenblatt
67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Datenblatt
220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
1 006Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFET-Module 360 Amps 100V
Datenblatt
765Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 230A 200V
Datenblatt
368erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
300erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3