STMicroelectronics MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
Datenblatt
2 940Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel