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STL125N8F7AG

Name: STMicroelectronics STL125N8F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL125N8F7AG
Price: 2.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL125N8F7AG

Herst.- Nr.:

STL125N8F7AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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Datenblatt:

STL125N8F7AG Datenblatt (PDF)

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€ -,--

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,68	€ 2,68
	€ 1,75	€ 17,50
	€ 1,21	€ 121,00
	€ 1,02	€ 510,00
	€ 0,998	€ 998,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,862	€ 2 586,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	39 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Die STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs Serie verfügt über eine erweiterte Trench-Gate-Struktur mit schneller und effizienter Schaltung für vereinfachtes Design und reduzierte Ausrüstungsgröße und Kosten. Niedriger Durchlasswiderstand kombiniert mit niedrigen Schaltverlusten bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung. Sie eignen sich hervorragend für Synchrongleichrichterschaltungen und verfügen über ein optimales Crss/Ciss-Kapazitätsverhältnis für die niedrigste EMI. Die STripFET F7 verfügen über eine hohe Avalanche-Robustheit.
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