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SCT055TO65G3

Name: STMicroelectronics SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT055TO65G3
Price: 7.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT055TO65G3

Herst.- Nr.:

SCT055TO65G3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Datenblatt:

SCT055TO65G3 Datenblatt (PDF)

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	€ 7,31	€ 7,31
	€ 5,32	€ 53,20
	€ 4,44	€ 444,00
	€ 3,95	€ 1 975,00
	€ 3,52	€ 3 520,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	€ 3,51	€ 6 318,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	72 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	31 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	234 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	19.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.2 ns

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Datenblatt

SCT055TO65G3 Datenblatt (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.