NXP HF-Bipolartransistoren

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Transistorart
Technologie
Transistorpolung
Betriebsfrequenz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Kollektorgleichstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Konfiguration
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
NXP Semiconductors HF-Bipolartransistoren NPN wideband silicon RF transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

BFU530X Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143B-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors HF-Bipolartransistoren NPN wideband silicon RF transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

BFU550XR Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 50 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143R-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors HF-Bipolartransistoren NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

BFU730F Bipolar Wideband SiGe NPN 55 GHz 205 2.8 V 1 V 5 mA + 150 C Single SMD/SMT SOT-343F-4 Reel, Cut Tape, MouseReel