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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVT
- BQ294532DRVR
- Texas Instruments
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1:
€ 0,456
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5 850Auf Lager
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVR
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Texas Instruments
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVT
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5 850Auf Lager
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€ 0,456
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€ 0,321
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€ 0,287
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€ 0,249
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€ 0,199
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Anzeigen
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€ 0,232
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€ 0,221
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€ 0,212
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€ 0,194
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Min.: 1
Mult.: 1
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SMD/SMT
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WSON-6
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4.5 V
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVR
- BQ294532DRVT
- Texas Instruments
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1:
€ 0,98
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVT
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Texas Instruments
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVR
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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€ 0,98
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€ 0,71
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€ 0,642
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€ 0,567
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€ 0,524
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Anzeigen
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€ 0,498
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€ 0,472
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€ 0,458
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€ 0,442
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Min.: 1
Mult.: 1
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SMD/SMT
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WSON-6
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4.5 V
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Batterie-Management Overvoltage Protecti on Device for 2- to
Texas Instruments BQ294532DRVRG4
- BQ294532DRVRG4
- Texas Instruments
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3 000:
€ 0,253
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
-
Neues Produkt
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVRG4
Neues Produkt
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Texas Instruments
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Batterie-Management Overvoltage Protecti on Device for 2- to
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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€ 0,253
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€ 0,221
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
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Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER
- 2ED2182S06FXUMA1
- Infineon Technologies
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1:
€ 2,08
-
151Auf Lager
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7 500erwartet ab 02.04.2026
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Mouser-Teilenr.
726-2ED2182S06FXUMA1
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Infineon Technologies
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Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER
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151Auf Lager
7 500erwartet ab 02.04.2026
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€ 2,08
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€ 1,41
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€ 1,28
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€ 1,23
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Anzeigen
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€ 0,796
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€ 1,16
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€ 1,01
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€ 0,869
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€ 0,796
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Min.: 1
Mult.: 1
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SMD/SMT
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DSO-8
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM580EKT
- NXP Semiconductors
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176:
€ 6,36
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM580EKT
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 176
Mult.: 176
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM581EKR2
- NXP Semiconductors
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1 000:
€ 6,27
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM581EKR2
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM581EKT
- NXP Semiconductors
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176:
€ 6,64
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM581EKT
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 176
Mult.: 176
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM580EKR2
- NXP Semiconductors
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1 000:
€ 5,77
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM580EKR2
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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