Tube Oszillatoren von MEMS

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 37.1MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 74.2MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840

VDFN-6 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS - 40 C + 85 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840

VDFN-6 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 11.2896MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840

VDFN-6 11.2896 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 14.7456MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 840
Mult.: 840

VDFN-6 14.7456 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 100MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 125C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

VDFN-6 100 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS - 40 C + 125 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 56MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 125C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

VDFN-6 56 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS - 40 C + 125 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 125.000VMHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 125C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

VDFN-6 125 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS - 40 C + 125 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 135MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 125C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 330
Mult.: 330

VDFN-6 135 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS - 40 C + 125 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 135.000VMHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 125C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

VDFN-6 135 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS - 40 C + 125 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVDS, 100MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 220
Mult.: 220

VDFN-6 100 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVDS 22 mA - 40 C + 105 C AEC-Q100 DSA1123
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, HCSL, 38.4MHz, 50PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 550
Mult.: 550

VDFN-6 38.4 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL - 40 C + 85 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, HCSL, 125MHz, 50PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560

VDFN-6 125 MHz 50 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, HCSL, 156.25MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420

VDFN-6 156.25 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 40 mA - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, HCSL, 125MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 280
Mult.: 280

VDFN-6 125 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.6 V HCSL 22 mA - 40 C + 105 C AEC-Q100 DSA1124
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 50 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS 1.3 mA - 40 C + 125 C AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 100MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420
VLGA-4 100 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS 3 mA - 40 C + 125 C AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 8MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 700
VLGA-4 8 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 8MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 32.768KHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 120
Mult.: 1 120

VLGA-4 32.768 kHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 105 C
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 700
Mult.: 700
VLGA-4 16 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS 3 mA - 40 C + 105 C AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, AUTO, LVCMOS, 24.035MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 560
Mult.: 560
VLGA-4 AEC-Q100
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Osc, Automotive, 125MHz, LVCMOS, -40-105C, 25ppm, 2.5x2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 700
Mult.: 700

VDFN-6 125 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V CMOS 23 mA - 40 C + 105 C