Quarz- und MEMS-basierte PureSilicon™-Oszillatoren

Microchip Technology Quarz- und MEMS-basierte PureSilicon™-Oszillatoren sind in verschiedenen Industriestandard-Footprints erhältlich. Dieses umfangreiche Produktportfolio umfasst hochflexible Quarz- und MEMS-Einzelchip-Oszillatoren mit mehreren Ausgängen zur Unterstützung von Applikationen mit geringem Stromverbrauch und niedrigem Jitter.

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Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 48 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 80MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 80 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 100 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125.006MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 125.006 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 4MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
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DFN-4 27 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 133.333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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CDFN-4 133.333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
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CDFN-4 50 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 95MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
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CDFN-4 95 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 148MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 148 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 9.6MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 9.6 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 9.728MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 9.728 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 11.0592MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 11.0592 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 24.305MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
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CDFN-4 24.305 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 114MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
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CDFN-4 114 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001