SiTime Oszillatoren von MEMS

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Ausgabeformat
Nennstrom
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Qualifikation
Serie
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 20ppm, 3.3V, 55MHz, NC, 1k pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

7 mm x 5 mm 55 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 20ppm, 3.3V, 55MHz, NC, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7 mm x 5 mm 55 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 85MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

85 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 90MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

90 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 59MHz, ST, 3k pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

59 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 30MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

7 mm x 5 mm 30 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 30.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7 mm x 5 mm 30 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 1.8432MHz -40C +85C 3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

1.8432 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 27MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

27 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 48MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

48 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

50 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 6.78MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

6.78 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 32MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

32 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.25V-3.63V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

40 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

50 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 242.806MHz 3.3V -40C +85C 20ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

24.806 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 20ppm, 3.3V, 20MHz, ST, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

20 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 20ppm, 3.3V, 20MHz, ST, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

20 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B