SiTime Oszillatoren von MEMS

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

50 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SIT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 8MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

8 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 45MHz 3.3V -40C +85C 20ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

3.2 mm x 2.5 mm 45 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

25 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 100MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

12 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 18MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

18 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 27MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

27 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 37.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

37.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 38.74MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

38.74 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 80MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

80 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.25V-3.63V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

8 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

50 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 19.2MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

19.2 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B