SiTime Oszillatoren von MEMS

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 6.8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

2.5 mm x 2 mm 6.8 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

24 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

25 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

25 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

100 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

100 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

2.5 mm x 2 mm 20 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 20.75MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

20.75 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 20MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

20 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 50MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

50 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.5V, 25MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

25 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.5V, 52MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

52 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

20 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 27.12MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

27.12 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 27.12MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

27.12 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 40MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

40 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 8MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 84MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

84 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 100MHz, ST, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 65MHz 3.3V -40C +85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

65 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 65MHz 3.3V -40C +85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

2.5 mm x 2 mm 65 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.25V-3.63V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

2.5 mm x 2 mm 100 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B