IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode

Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

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Menge RoHS
Vishay Semiconductors Fotodioden Sideview 350-1120nm +/-35 deg
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2 238Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden 1206 700 to 1070nm +/-70 deg
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906Auf Lager
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Rolle: 3 000

Vishay Semiconductors Fotodioden Sideview 870-1050nm +/-60 deg
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301Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden Yoke 790 to 1050nm +/-15 deg
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926Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm,T-1.75 70mW/sr,+/-22deg.
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1 294Auf Lager
4 000erwartet ab 25.02.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 890nm, SMD 5mW/sr, +/-17deg.
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942Auf Lager
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Rolle: 1 000


Vishay Semiconductors Fotodioden Reverse gullwing 350-1120nm +/-15 deg
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3 304Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 940nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.
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11 863Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 940nm, SMD 70mW/sr, +/-7deg.
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12 000erwartet ab 20.03.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter SurflightVCSEL 850nm 35mW/sr, +/-28deg.
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5 997erwartet ab 06.03.2026
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Rolle: 3 000

Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 890nm, T-1.75 700mW/sr, +/-22deg.
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8 750Auf Bestellung
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIGH SPEED IR EMITTING DIODE 850NM - E4
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5 980erwartet ab 03.03.2026
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Rolle: 3 000

Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm, T-1.75 180mW/sr, +/-10deg.
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