.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vishay Neueste Transistoren

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von Transistoren

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = Vishay Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Vishay VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter

03.17.2025

- Hochleistungsfähige SiC-MOSFETs, die ideal für Hochfrequenz- Applikationen geeignet sind.

Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule

03.17.2025

- Ausgelegt, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich zu verbessern.

Vishay SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

11.11.2024

- TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

10.25.2024

- Erhältlich in einem PowerPAK®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm BWL mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω.

Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

08.26.2024

- Bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximalen Leistungsverlust.

Vishay SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

07.01.2024

- Verfügt über die TrenchFET® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.

Vishay Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

05.17.2024

- Verfügt über Leistungstechnologie, optimiert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung während der Leitung.

Vishay SiRS5700DP 150 V-n-Kanal-MOSFET (D-S)

01.29.2024

- TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen RDS x Qg -Gütezahl (FOM).

Vishay PowerPAK® 1212-MOSFETs

01.09.2024

- Eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen und verfügt über einen Einschaltwiderstand von ca. 1mΩ.

Vishay MOSFETs der SIH-Baureihe

07.31.2023

- Bietet die E-Baureihen-Technologie der 4. Generation in einem Standard-TO-Gehäuse.

Vishay SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET

07.27.2023

- Der TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET nutzt die Source-Flip-Technologie, welche die thermische Leistung verbessert.

Vishay SiHR080N60E n-Kanal-Leistungs-MOSFET

07.27.2023

- 600 V E-Baureihe Leistungs-MOSFET der vierten Generation in einem PowerPAK-® 8 x 8LR-Gehäuse.

Vishay Halbbrücken-IGBTs

07.10.2023

- Verfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Nennströme von 100 A, 150 A und 200 A.

Vishay SIP32433 Einkanal-eFuses

11.30.2022

- Integrieren mehrere Steuerungs- und Schutzfunktionen.

Vishay EMIPAK PressFit-Leistungsmodule

09.26.2022

- Für eine zuverlässige Leistungsfähigkeit in robusten Applikationen von 15 A bis 150 A ausgelegt.

Ansicht: 1 - 15 von 15

Filtern nach:

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

Ansicht: 1 - 25 von 637

Vishay Neueste Transistoren

Arten von Transistoren

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support