Neueste Transistoren
Angewendete Filter:
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02.19.2026
02.19.2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
02.05.2026
02.05.2026
Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12.04.2025
12.04.2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
Ansicht: 1 - 25 von 644