Neueste GaN FETs
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Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
Qorvo QPD1035 GaN-HF-Leistungstransistoren
09.12.2024
09.12.2024
Diskrete 40-W-GaN-auf-SiC-HEMTs, die von DC bis 6 GHz mit einer Versorgung von 50 V arbeiten.
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EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
11.07.2025
11.07.2025
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
10.28.2025
10.28.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08.18.2025
08.18.2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
05.02.2025
05.02.2025
Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
04.14.2025
04.14.2025
40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.
Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren
04.10.2025
04.10.2025
Entwickelt für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte.
ROHM Semiconductor GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs
01.10.2025
01.10.2025
Entwickelt für leistungsstarke Leistungsumwandlungsapplikationen.
Infineon Technologies CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren
12.20.2024
12.20.2024
Verfügt über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung.
MACOM GaN on SiC Transistors
11.26.2024
11.26.2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.
Infineon Technologies CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren
11.12.2024
11.12.2024
Verfügt über hocheffiziente GaN-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung bis 650 V.
Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET
10.01.2024
10.01.2024
Ein 40 V, 4,8 mΩ bidirektionaler GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT – Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) in einem WLCSP-Gehäuse.
Qorvo QPD1035 GaN-HF-Leistungstransistoren
09.12.2024
09.12.2024
Diskrete 40-W-GaN-auf-SiC-HEMTs, die von DC bis 6 GHz mit einer Versorgung von 50 V arbeiten.
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