Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NZ8P Zener-Schutzdioden

11.19.2025

- Entwickelt, um empfindliche elektronische Bauteile vor ESD- und Transientenspannungsereignissen zu schützen.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

10.13.2025

- Das Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

10.13.2025

- Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi MMQA/SZMMQA ESD-Schutzdioden

09.23.2025

- Diese Bauteile wurden für Applikationen entwickel, die einen Schutz vor transienten Überspannungen benötigen.

onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.09.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.08.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi SZMM3ZxT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

09.05.2025

- Entwickelt für die Spannungsregelung und den Schutz in elektronischen Systemen von Kraftfahrzeugen.

onsemi NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.04.2025

- Ideal für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

onsemi SZMMSZ52xT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

08.25.2025

- Entwickelt für präzise Spannungsregelung und Überspannungsschutz.

onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-Wechselrichtermodule

08.25.2025

- Leistungsmodule in F5BP enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung.

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220 Leistungsgleichrichter

08.21.2025

- Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, bei denen Effizienz und thermische Leistung kritisch sind.

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Filtern nach:

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03.03.2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03.03.2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03.03.2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03.03.2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden

03.02.2026

- Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

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