Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode
07.08.2024
07.08.2024
Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR
02.19.2024
02.19.2024
Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.
IXYS MPA 95-06DA FRED-Module
01.18.2024
01.18.2024
Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.
IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule
01.18.2024
01.18.2024
Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter
08.11.2022
08.11.2022
Verfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.
IXYS STS802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
08.10.2022
08.10.2022
Bieten einen hohen statischen dv/dt mit einer niedrigen Ausschaltzeit (tq) und einem Ableitvermögen von bis zu 20 A.
Ansicht: 1 - 25 von 27
Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp Surge Protection Device
03.12.2026
03.12.2026
Designed to robustly shunt up to 25A of fault current to protect from transients or lightning.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.
Littelfuse SP1120-01WTG Unidirectional Discrete TVS Diode
03.09.2026
03.09.2026
Proprietary silicon avalanche technology and offers high ESD protection for electronic equipment.
Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.
Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode
03.06.2026
03.06.2026
AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.
Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.
Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode
03.06.2026
03.06.2026
Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.
Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.
Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.
Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays
03.05.2026
03.05.2026
Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.
Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.
Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.
Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.
Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden
03.02.2026
03.02.2026
Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.
Ansicht: 1 - 25 von 1230