.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Rectron Neueste Diskrete Halbleiter

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = Rectron Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Rectron MMBD120x 100V Small Signal Diodes

03.01.2024

- Fast switching devices with 4ns maximum reverse recovery time available in a SOT-23 package.

Rectron RM3134 Dual N-Channel MOSFET

10.10.2022

- Lead-free product housed in a surface mount package.

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

10.10.2022

- Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON).

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

10.10.2022

- Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

Rectron RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

09.21.2022

- Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

09.21.2022

- Features advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge.

Ansicht: 1 - 6 von 6

Filtern nach:

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05.18.2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05.12.2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05.06.2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03.24.2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

Ansicht: 1 - 25 von 1098

Rectron Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support