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Littelfuse Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

Littelfuse AQ3118-02JTG TVS-Diodenarray mit niedriger Kapazität

11.12.2025

- 2-Kanal-Schutz gegen ESD und Überspannungen, Kapazität von 0,3 pF zwischen Ein- und Ausgängen und Leckstrom von 50 nA bei 18 V.

Littelfuse AQ4324-01ETG Bidirektionale TVS-Diode

10.22.2025

- Bietet hohen Schutz für elektronische Einkanalgeräte, die anfällig für zerstörerische ESD sind.

Littelfuse SZSMF6L Fahrzeug-TVS-Dioden

08.29.2025

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere anfällige Schaltungen in Fahrzeugelektronik-Applikationen.

Littelfuse Ökosystemlösungen für vernetzte Arzneimittelverabreichungsgeräte

07.11.2025

- Breites Portfolio an Produkten, die zur Entwicklung und Verbesserung von Wirkstoffträgersystemen verwendet werden.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-Dioden

05.21.2025

- Speziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.

Littelfuse Px0S3H SIDACtor-Thyristor mit hohem Stromstoß

05.02.2025

- Entwickelt für einen zuverlässigen Überspannungsschutz in Umgebungen mit hoher Belastung.

Littelfuse LX5 Empfindlicher Gate-TRIAC mit 0,5 A

04.25.2025

- Eine Baureihe bidirektionaler Halbleiterschalter, die eine direkte Schnittstelle zu Mikroprozessortreibern bietet.

Littelfuse Sxx30x SCR-Thyristoren

04.09.2025

- Für Applikationen wie z. B. Halbleiterrelais, Industrie-Elektrowerkzeuge und Hochleistungs-Motorsteuerungen ausgelegt.

Littelfuse Pxx00S3G-A SIDACtor® Schutzthyristoren

01.28.2025

- Entwickelt, um AC Stromleitungen in feindlichen Umgebungen vor Überspannungstransienten zu schützen.

Littelfuse SMF TVS-Dioden mit extrem niedriger Spannung

01.20.2025

- Entwickelt zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor durch Blitzschlag verursachten Spannungstransienten.

Littelfuse xEV-Antriebsstranglösungen

01.07.2025

- Großes Portfolio von xEV-Antriebsstranglösungen, die sich für Automotive-Umgebungen eignen.

Littelfuse TPSMB Asymmetrische TVS-Dioden

12.06.2024

- Zum Schutz von empfindlichen elektronischen Geräten gegen Spannungstransienten durch Blitzschlag ausgelegt.

Littelfuse TPSMB-L Fahrzeug TVS-Dioden

12.02.2024

- Merkmal 600 W Spitzenimpuls-Verlustleistungsfähigkeit 10/1000μs Wellenform.

Littelfuse AQ1205-01LTG Bidirektionale TVS-Diode

11.28.2024

- Mit der proprietären Silizium-Avalanche-Technologie ausgelegt und bietet einen hohen ESD-Schutz.

Littelfuse LSIC2SD065D40CC SiC-Schottky-Barriere-Dioden

11.18.2024

- Extrem kurze Schaltzeit und temperaturunabhängiges Schaltverhalten.

Littelfuse AQx-01FLTG SPA® TVS-Diodenarrays

09.30.2024

- Die proprietäre Silizium-Avalanche-Technologie schützt elektronische Geräte gegen elektrostatische Entladung.

Littelfuse SM8S TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

08.26.2024

- Das SMTO-263-Gehäuse mit Leitungsänderungen und einem niedrigen Profil reduziert den PCB-Footprint.

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Filtern nach:

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

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