IXYS Neueste Halbleiter

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IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
09.04.2025
Speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
06.30.2025
Bietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
04.03.2025
High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
02.18.2025
Der High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber schaltet bis zu 200 V im Bootstrap-Betrieb.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. 
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
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    Abracon ABFBxx Clock Buffers
    Abracon ABFBxx Clock Buffers
    08.12.2026
    Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.
    Murata LBMA0ZZ2NR-EVK Evaluationskit
    Murata LBMA0ZZ2NR-EVK Evaluationskit
    08.12.2026
    Ein Evaluierungs- und Applikations-Evaluierungskit für das Modul Typ 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).
    Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
    Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
    08.12.2026
    Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08.12.2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit
    u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit
    08.11.2026
    Designed to test the features and capabilities of the ZED-X20D dual-antenna GNSS heading module.
    MediaTek Genio 420, 520 und 720 Gen-AI IoT-Plattformen
    MediaTek Genio 420, 520 und 720 Gen-AI IoT-Plattformen
    08.11.2026
    Teil einer Produktfamilie hochmoderner Lösungen für fortschrittliche IoT- Applikationen.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
    08.11.2026
    Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
    Analog Devices Inc. ADM33051E Hochgeschwindigkeits-CAN-FD-Transceiver
    Analog Devices Inc. ADM33051E Hochgeschwindigkeits-CAN-FD-Transceiver
    08.10.2026
    Ein robuster Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit geringem Stromverbrauch, der mit einer Versorgungsspannung von 3,3 V betrieben wird.
    STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    08.10.2026
    Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
    08.10.2026
    Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
    Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator
    Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator
    08.10.2026
    Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.
    Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs
    Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs
    08.10.2026
    High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.
    Sensirion SEK-SEN69C Evaluationskit
    Sensirion SEK-SEN69C Evaluationskit
    08.10.2026
    Evaluierungskit für SEN69C All-in-One-Raumluftqualitätssensoren.
    Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch
    Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch
    08.10.2026
    The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.
    STMicroelectronics LDQ44 400 mA Hochgenauer LDO-Spannungsregler
    STMicroelectronics LDQ44 400 mA Hochgenauer LDO-Spannungsregler
    08.10.2026
    Die enthaltenen Funktionen machen den LDQ44 geeignet für stromsparende, batteriebetriebene Applikationen.
    Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Mikrocontroller
    Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Mikrocontroller
    08.06.2026
    32-Bit Steuerungs-MCUs mit Arm® Cortex®-M0 CPU und MATH-Coprozessor.
    Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluierungsboard
    Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluierungsboard
    08.06.2026
    Gate-Treiber-Evaluierungsboard für bidirektionale CoolGaN™ Schalterdesigns.
    Infineon Technologies CoolGaN™ BDS-Evaluierungsboards
    Infineon Technologies CoolGaN™ BDS-Evaluierungsboards
    08.06.2026
    Kompakte Tochterboards zur Evaluierung von bidirektionalen 40 V GaN- Schaltern.
    NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms
    NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms
    08.05.2026
    Brings automotive-grade hardware and software to deliver secure, safe, and accelerated development.
    Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
    Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
    08.04.2026
    Entwickelt zur Evaluierung des MAX22215 Treibers in Kombination mit dem Trinamic- Evaluierungsboard- System.
    Texas Instruments TRF2001 ISM-Band-Multiprotokoll- und Wi-SUN-HF-FEM
    Texas Instruments TRF2001 ISM-Band-Multiprotokoll- und Wi-SUN-HF-FEM
    08.04.2026
    Ein leistungsstarkes HF-FEM für drahtlose Anwendungen mit geringem Stromverbrauch im Sub-1-GHz-Band.
    NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
    NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
    08.04.2026
    Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor  in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm. 
    Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
    Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
    08.04.2026
    Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluierungsmodule
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluierungsmodule
    08.04.2026
    Evaluierungsmodule mit flexibler Schienenüberwachung für strahlungstolerante Wächter.
    Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
    Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
    08.04.2026
    Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).
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