Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NZ8P Zener-Schutzdioden

11.19.2025

- Entwickelt, um empfindliche elektronische Bauteile vor ESD- und Transientenspannungsereignissen zu schützen.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFWS0D4N04XM Einzelne Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal

11.16.2025

- Verfügbar in einem 5 mm x 6 mm SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design und AEC-Q101-Qualifikation.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

10.13.2025

- Das Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

10.13.2025

- Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi MMQA/SZMMQA ESD-Schutzdioden

09.23.2025

- Diese Bauteile wurden für Applikationen entwickel, die einen Schutz vor transienten Überspannungen benötigen.

onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.09.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.08.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi SZMM3ZxT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

09.05.2025

- Entwickelt für die Spannungsregelung und den Schutz in elektronischen Systemen von Kraftfahrzeugen.

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Filtern nach:

onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03.24.2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen

03.18.2026

- Bidirektionale Bauteile zur Oberflächenmontage, die für eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung

03.17.2026

- Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03.17.2026

- Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter

03.13.2026

- Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.

Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp-Überspannungsschutzvorrichtung

03.12.2026

- Ausgelegt, um schnell auf einen Fehlerstrom bis zu 25 A zu reagieren und so vor Transienten oder Blitzeinschlägen zu schützen.

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