Arten von Transistoren
Angewendete Filter:
Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
10.31.2025
10.31.2025
Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET
10.31.2025
10.31.2025
Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET
10.21.2025
10.21.2025
Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.
Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren
09.18.2025
09.18.2025
PNP- Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse.
Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren
09.17.2025
09.17.2025
Bietet ein kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8 Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.
Diodes Incorporated Bipolartransistoren DXTN/P 78Q & 80Q
07.24.2025
07.24.2025
Bietet Nennwerte von 30 V, 60 V und 100 V mit außergewöhnlichem Wirkungsgrad und thermischem Betriebsverhalten.
Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE
11.14.2024
11.14.2024
Verfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus
10.01.2024
10.01.2024
Bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße.
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
08.01.2024
08.01.2024
20-V-N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um den RDS(ON) zu minimieren, und in einem X2-DFN0806-3-Gehäuse erhältlich ist.
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
06.24.2024
06.24.2024
Konzipiert, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal- MOSFETs im Anreicherungsmodus
05.01.2024
05.01.2024
Bietet niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige GATE- Schwellenspannung bei gleichbleibendem Betriebsverhalten.
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung
05.01.2024
05.01.2024
Erhältlich in einem kompakten DFN2020-3-Gehäuse, dessen Footprint um 50 % kleiner ist als das eines SOT-23-Gehäuses.
Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs
04.01.2024
04.01.2024
Diese MOSFETs wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand [RDS(ON)] zu minimieren und gleichzeitig ein hervorragendes Betriebsverhalten zu gewährleisten.
Diodes Incorporated DMP68D1LV Dualer p-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus
01.01.2024
01.01.2024
Bietet niedrigen On-Widerstand und Eingangskapazität und eine geringe Eingangskapazität bei gleichbleibend ausgezeichneter Schaltleistung.
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200 V N-Kanal SiC Leistungs-MOSFET
06.02.2023
06.02.2023
Konzipiert zur Minimierung des Einschaltwiderstandes bei gleichzeitiger hervorragender Schaltleistung.
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
03.30.2023
03.30.2023
AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedrigem RDS(ON), der minimale Einschaltverluste gewährleistet.
Diodes Incorporated MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren
03.21.2023
03.21.2023
Die Bauteile sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP PAP-fähig und werden in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt.
Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET
03.06.2023
03.06.2023
Entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus
01.24.2023
01.24.2023
Entwickelt, um denRDS(on) zu minimieren und dabei eine eindrucksvolle Schaltleistung beizubehalten.
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET
01.18.2023
01.18.2023
Entwickelt, umRDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET
01.17.2023
01.17.2023
AEC-Q101 zertifizierter MOSFET mit niedrigemRDS(ON), der minimale Einschaltverluste gewährleistet.
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET
01.04.2023
01.04.2023
Entwickelt, um RDS (ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.
Diodes Incorporated DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET
01.04.2023
01.04.2023
Entwickelt, um RDS (ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor
11.23.2022
11.23.2022
Ein planarer Silizium-Bipolartransistor, der für den Betrieb im Avalanche-Modus ausgelegt ist.
Ansicht: 1 - 24 von 24
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
04.14.2026
04.14.2026
Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03.17.2026
03.17.2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
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