Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03.12.2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Micro Commercial Components (MCC) SMB15J33CAHE3 TVS Diode

07.14.2025

- 1500W bidirectional diode designed to protect sensitive electronics from high‑energy voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) BSS84AK MOSFET

04.10.2025

- Small-signal P-channel MOSFET designed with efficient switching performance.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02.12.2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02.12.2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02.12.2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02.07.2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01.02.2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) MCG085P10 Power MOSFET

01.01.2025

- P-channel power MOSFET designed using Trench power LV MOSFET technology.

Micro Commercial Components (MCC) CSPHSBULC5V0LB ESD Protection Diode

01.01.2025

- Compact snap-back ESD protection device that comes in an ultra‑small CSP1006‑2 package.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12.30.2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12.30.2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT

11.28.2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100 V n-Kanal-MOSFET

11.25.2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11.22.2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) ESD-Dioden mit sehr niedriger Kapazität

11.15.2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11.04.2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs

10.04.2024

- Verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen geringen Leitungsverlust und ein sanftes Schalten mit schneller Sperrverzögerungsdiode.

Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

10.03.2024

- Verfügt über eine niedrige Gate-Drain-Ladung, reduziert Leitungsverluste und verstärkt den Gesamtwirkungsgrad.

Micro Commercial Components (MCC) ESDULCx Automotive-ESD-Schutzbauteile

09.27.2024

- Für eine einzelne Daten- oder Stromleitung ausgelegt und bietet eine außergewöhnliche Leistung für moderne Applikationen.

Micro Commercial Components (MCC) SM6S24AHE3 TVS Diode

09.18.2024

- Für einen unablässigen Überspannungsschutz in einem kompakten DO-218AB-2-Gehäuse ausgelegt.

Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL n-Kanal-MOSFET

09.04.2024

- 30-V-Leistungs-MOSFET, der für eine gute thermische Leistungsfähigkeit mit geringen Leistungsverlusten ausgelegt ist.

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs

09.03.2024

- Verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.

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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05.12.2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse QVx35xHx Hochtemperatur-Alternistor-TRIACs

04.24.2026

- Bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in den Gehäusen TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

Littelfuse SJx08x Hochtemperatur-SCRs

04.24.2026

- Spannung bis zu 800 V, Stoßstromfähigkeit bis zu 100 A und eine Nenntemperatur von +150 °C.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03.24.2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

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