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Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
03.17.2026
These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
11.07.2025
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
10.28.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08.18.2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
05.02.2025
Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
04.14.2025
40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.
Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren
Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren
04.10.2025
Entwickelt für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte.
ROHM Semiconductor GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs
ROHM Semiconductor GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs
01.10.2025
Applikationen für leistungsstarke Leistungsumwandlung.
Infineon Technologies CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren
Infineon Technologies CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren
12.20.2024
Verfügt über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung.
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11.26.2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
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