Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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PANJIT PEC32 ESD Protection/TVS Diodes

07.30.2025

- Protect sensitive electronics from electrostatic discharge, surge events, & other transient threats.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04.09.2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02.17.2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11.28.2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11.28.2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09.13.2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08.29.2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06.18.2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06.17.2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06.17.2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05.23.2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05.23.2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04.12.2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04.11.2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04.11.2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02.19.2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01.19.2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

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Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05.18.2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05.12.2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05.06.2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03.24.2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

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