Angewendete Filter:
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04.16.2025
04.16.2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET
02.12.2025
02.12.2025
Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.
Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET
02.12.2025
02.12.2025
High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.
Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs
12.30.2024
12.30.2024
Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.
Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100 V n-Kanal-MOSFET
11.25.2024
11.25.2024
Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.
Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs
10.04.2024
10.04.2024
Verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen geringen Leitungsverlust und ein sanftes Schalten mit schneller Sperrverzögerungsdiode.
Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET
10.03.2024
10.03.2024
Verfügt über eine niedrige Gate-Drain-Ladung, reduziert Leitungsverluste und verstärkt den Gesamtwirkungsgrad.
Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL n-Kanal-MOSFET
09.04.2024
09.04.2024
30-V-Leistungs-MOSFET, der für eine gute thermische Leistungsfähigkeit mit geringen Leistungsverlusten ausgelegt ist.
Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Die Super-Junction-Technologie (SJ) verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine integrierte schnelle Freilaufdiode.
Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100-V-n-Kanal-MOSFET
08.28.2024
08.28.2024
100-V-n-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsschaltungen ausgelegt ist.
Micro Commercial Components (MCC) MCG50P03B 30 V p-Kanal-MOSFET
08.19.2024
08.19.2024
Für platzbeschränkte Applikationen, die eine zuverlässige Leistung erfordern, ausgelegt.
Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3 Automobilstandard 60 V-n-Kanal-MOSFET
08.12.2024
08.12.2024
AEC-Q101-qualifiziert und zur Neudefinition von Energieeffizienz und Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen ausgelegt.
Micro Commercial Components (MCC) Electric Power Steering (EPS) Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort.
Micro Commercial Components (MCC) Auto Seat Control Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Delivers the compact, efficient & robust performance needed to power modern vehicle seating systems.
Micro Commercial Components (MCC) Automotive Front & Rear LED Lighting Solutions
08.01.2024
08.01.2024
These lighting systems improve driver visibility, passenger safety, and vehicle styling.
Micro Commercial Components (MCC) Battery Management System (BMS)
08.01.2024
08.01.2024
Delivers the precision, safety, and efficiency required to support today’s electric vehicles (EVs).
Micro Commercial Components (MCC) MACx Logikpegel-n-Kanal-MOSFETs von 30 V bis 60 V
07.11.2024
07.11.2024
Verfügen über die Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie (SGT), die in einem DFN5060-Gehäuse verfügbar ist.
Micro Commercial Components (MCC) MCACLS N-Channel Dual-Side Cooling MOSFETs
06.24.2024
06.24.2024
Feature superior thermal performance with 40V drain-source voltage and are AEC-Q101 qualified.
Micro Commercial Components (MCC) 100V 7.5mΩ N-Channel MOSFETs
06.04.2024
06.04.2024
Offers split-gate trench (SGT) technology, 100V capacity, and an on-resistance of only 7.5mΩ.
Micro Commercial Components (MCC) MCB2D & MCU2D 40V N-channel MOSFETs
05.31.2024
05.31.2024
High-density cell design with 2.8mΩ low on-resistance ensures efficient automotive power management.
Micro Commercial Components (MCC) MCB70N15YHE3 AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET
05.22.2024
05.22.2024
AEC-Q101 qualified N-channel MOSFET that utilizes split gate trench MOSFET technology.
Micro Commercial Components (MCC) 40V & 60V Auto-Grade MOSFETs
05.20.2024
05.20.2024
Boost quality and efficiency with automated optical inspection capability.
Micro Commercial Components (MCC) MCBS260N10YHE3 Power MOSFET
05.14.2024
05.14.2024
100V, AEC-Q101-qualified MOSFET in a D2PAKL-7L package with Low RDS(on).
Micro Commercial Components (MCC) MCACLx Power MOSFETs
05.08.2024
05.08.2024
AEC-Q101 qualified MOSFETs optimized for high current output and feature 0.8mΩ low RDS(ON).
Micro Commercial Components (MCC) MCU62N10YHE3 AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET
04.24.2024
04.24.2024
AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET features split-gate trench technology and RDS(on) of only 11mΩ.
Ansicht: 1 - 25 von 38
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.20.2025
11.20.2025
Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs
11.20.2025
11.20.2025
Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.
onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.
onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.
Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
10.31.2025
10.31.2025
Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET
10.31.2025
10.31.2025
Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET
10.21.2025
10.21.2025
Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.
Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET
10.17.2025
10.17.2025
Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
10.14.2025
10.14.2025
Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.
onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET
10.14.2025
10.14.2025
Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs
10.06.2025
10.06.2025
Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs
10.02.2025
10.02.2025
Bietet maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten.
Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS
09.30.2025
09.30.2025
Hochleistungs-N-Kanal -Transistoren für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsanwendungen.
Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse
09.29.2025
09.29.2025
Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.08.2025
09.08.2025
Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.
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