Neueste MOSFETs – Mouser Österreich

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PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02.17.2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

10.16.2023

- Feature a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

10.16.2023

- Features a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

08.15.2023

- Feature low RDS(ON) and high switching speed.

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs

06.06.2023

- Low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω.

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

05.30.2023

- Offers a low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified, DFN5060-8L package.

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

11.16.2022

- Utilize Trench technology to improve the product characteristics.

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

07.08.2022

- Features advanced Trench Process technology and optimized for use as relay drivers and line drivers.

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Filtern nach:

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

10.21.2025

- Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs

10.02.2025

- Bietet maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten.

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

09.30.2025

- Hochleistungs-N-Kanal -Transistoren für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsanwendungen.

Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

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