Neueste MOSFETs – Mouser Österreich

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET

08.19.2025

- 30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

04.14.2025

- 60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.

Nexperia NX5020x n-Kanal-Anreicherungsmodus-FETs

04.01.2025

- Die Bauteile verfügen über eine sehr niedrige Schwellenspannung und ein sehr schnelles Schalten mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs

01.21.2025

- Kombiniert bewährte MOSFET-Expertise mit breitem Anwendungswissen und schafft so ein wachsendes Angebot.

Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start

01.08.2025

- Bietet einen zuverlässigen linearen Modus, verbessertes SOA und einen niedrigen RDS(on) in einem einzigen Bauteil.

Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET

08.30.2024

- Basiert auf der niederohmigen Trench 14 Split-Gate-Technologie und ist in einem LFPAK56E-Gehäuse untergebracht.

Nexperia NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs

07.01.2024

- Bieten eine hervorragende RDS(on) -Temperaturstabilität in einem standardmäßigen 7-Pin-TO-263-Kunststoffgehäuse.

Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs

06.24.2024

- 80 V Standard-Gate-Drive-MOSFETs mit einem niedrigen Qrr für einen höheren Wirkungsgrad und niedrigere Spitzen.

Nexperia PSMN047-100NSE n-Kanal-ASFET

04.04.2024

- Das 100 V, 53 mΩ ASFET kombiniert eine verbesserte SOA in einem kompakten Footprint von 2 mm x 2 mm,

Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

04.04.2024

- Kleine AEC-Q101-qualifiziertes SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BSS138AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

04.04.2024

- AEC-Q101-qualifizierter N-Kanal Modus - FeldeffektTransistoren (FETs) in kleinen SMD- Gehäusen.

Nexperia EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

02.28.2024

- Sind in Space-Mode LFPAK56-Gehäusen untergebracht und eignen sich hervorragend für bürstenlose DC-Motorsteuerungsapplikationen.

Nexperia PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET

02.28.2024

- Für Relaisaustausch, Einschaltstrommanagement und Batteriemanagement-Applikationen ausgelegt.

Nexperia BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs

02.23.2024

- Zur Erfüllung der AEC-Q101-Anforderungen ausgelegt und qualifiziert und liefern eine hohe Leistungsfähigkeit und Lebensdauer.

Nexperia PSMN025 n-Kanal-MOSFET

05.19.2023

- Dualer Standard-n-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D-Gehäuse (Dual Power-SO8).

Nexperia PSMN028 n-Kanal-MOSFET

05.19.2023

- Zwei Standard-n-Kanal-MOSFETs in einem LFPAK56D-Gehäuse (Dual Power-SO8).

Nexperia PSMN1R9 und PSMN2R3 n-Kanal-MOSFETs

02.27.2023

- Für extreme Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt.

Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

07.26.2022

- In einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen enthalten: 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.

Nexperia SOT8015 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

07.26.2022

- Bietet ein unbedrahtetes, extrem dünnes Kunststoffgehäuse mit kleinen Konturen und seitlich benetzbaren Flanken (SWF).

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Filtern nach:

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03.17.2026

- Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

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