Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers
08.11.2025
08.11.2025
These devices have a low power loss and are highly efficient.
Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.
Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode
07.22.2025
07.22.2025
AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.
Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers
07.10.2025
07.10.2025
High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.
Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.
Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor TLDxxAH Überspannungsschutzdioden (TVS)- Dioden
03.17.2025
03.17.2025
26 V bis 82 V, für AEC-Q101 qualifizierte, unidirektionale, oberflächenmontierbare TVS-Dioden.
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers
01.30.2025
01.30.2025
Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.
Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount Rectifiers
01.30.2025
01.30.2025
Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.
Taiwan Semiconductor S1Y/S2Y 1600V Surface Mount Rectifiers
11.28.2024
11.28.2024
1600V glass passivated chip junction standard rectifiers designed for high-performance applications.
Taiwan Semiconductor LTD7S24CAH Super Clamp TVS
11.28.2024
11.28.2024
Feature low clamping voltage, low leakage current, and 24V working stand-off voltage.
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02.05.2026
02.05.2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
02.03.2026
02.03.2026
Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
02.03.2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden
01.13.2026
01.13.2026
Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.
Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden
01.08.2026
01.08.2026
Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12.04.2025
12.04.2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren
12.01.2025
12.01.2025
DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11.24.2025
11.24.2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden
11.24.2025
11.24.2025
Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.
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