Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 224
Apogee Semiconductor AP54RHC420 Latch
05.21.2026
05.21.2026
Radiation-hardened by design, a dual quad-SR latch with cold sparing and Schmitt trigger inputs.
Sensirion SEK-SGP4x-Sensor Evaluierungskit
05.21.2026
05.21.2026
Ausgelegt für Ingenieure und Entwickler für schnelles Prototyping und die Integration von VOC- und NOx-Gassensoren.
Diodes Incorporated API21550Q Isolated Half-Bridge Gate Driver
05.21.2026
05.21.2026
The device offers 5V, 8V, and 12V VDD UVLO options for driving GaN, MOSFETs, and IGBT/SIC devices.
Hailo Hailo-8 AI Processor
05.19.2026
05.19.2026
Features up to 26 tera-operations per second (TOPS) in a size smaller than a penny.
Texas Instruments TPLD2001 Programmierbar Logikbausteine
05.19.2026
05.19.2026
Verfügen über vielseitige programmierbare Logik-ICs mit kombinatorischen, sequentiellen und analogen Blöcken.
Texas Instruments MUX80X-Q1 Einzelne 8:1- und duale 4:1-Multiplexer
05.19.2026
05.19.2026
Analoge Hochspannungs-Multiplexer in den Konfigurationen 8:1 (einendig) und 4:1 (differenziell).
Diodes Incorporated APR3492 Dual-Channel MOSFET-Treiber
05.19.2026
05.19.2026
Ein sekundärer MOSFET-Treiber für Synchrongleichrichtung in LLC-Resonanzwandlern.
Hailo Hailo-8R Mini PCIe AI Acceleration Module
05.19.2026
05.19.2026
Plugs into an existing edge device with a PCI Express Mini (mPCIe) Full-Mini socket.
Hailo Hailo-8L Entry-Level AI Accelerator
05.19.2026
05.19.2026
Designed to support entry-level products requiring limited AI capacity or lower performance.
Advantech ASR-A701 Development Kit mit GMSL-Kameralösung
05.19.2026
05.19.2026
Eine Edge-AI-Entwicklungsplattform zur Beschleunigung der Entwicklung autonomer Systeme und Robotik.
Microchip Technology EV17P63A Curiosity Nano Evaluierungskit
05.19.2026
05.19.2026
Das kostengünstige Board erleichtert die einfache Evaluierung und Einführung von 32-Bit-dsPIC33A-DSCs.
Texas Instruments TLV2886 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Operationsverstärker mit geringem Rauschen, großer Bandbreite, Nullpunktdrift und einem proprietären MUX-freundlichen Eingang.
Texas Instruments OPA4488 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Mux-freundliche Operationsverstärker mit 48 V, großer Bandbreite, geringem Rauschen und Nullpunktdrift.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05.18.2026
05.18.2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
Texas Instruments INA151 Präzisions-Differenzverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Mit einem Eingangs-Gleichtaktspannungsbereich von bis zu 110 V über der negativen Versorgungsspannung (empfohlen).
Texas Instruments OPA2486 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Operationsverstärker mit 48 V, geringem Rauschen, großer Bandbreite, niedrigem Stromverbrauch und Nullpunktdrift.
Littelfuse Omnipolarer TMR-Schaltsensor mit Push-Pull-Ausgang
05.14.2026
05.14.2026
Das Bauteil stellt einen digitalen magnetischen Schalters mit hoher Empfindlichkeit und niedrigem Stromverbrauch bereit.
Diodes Incorporated AP68065xQ/AP68105xQ Synchrone Abwärtswandler
05.14.2026
05.14.2026
Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Schaltsteuerung erfordern.
STMicroelectronics L99MH94/L99MH92 Halbbrücken-Vortreiber
05.14.2026
05.14.2026
Diese Bauteile sind zur Steuerung von bis zu acht n-Kanal-MOSFETs vorgesehen.
Intel Arc™ Pro B65 Grafikverarbeitungseinheit (GPU)
05.14.2026
05.14.2026
Verfügt über 32 GB GDDR6-Speicher, eine hohe Speicherbandbreite und XMX-KI-Engines.
DFRobot NVIDIA® Nano™ & Xavier™ NX Jetson Carrier Board
05.13.2026
05.13.2026
Created to bridge the gap between theoretical AI concepts and practical edge computing deployment.
Diodes Incorporated PI6CL10806/PI6CL10808 LVCMOS Uhrenpuffer
05.13.2026
05.13.2026
Liefert 6 oder 8 Ausgänge, eine 1,0 V bis 1,8 V Stromversorgung und einen Ausgangs-zu-Ausgangs-Skew von nur 40 ps.
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluierungsboard
05.13.2026
05.13.2026
Entwickelt zur Evaluierung der Dual‑Channel‑GATE‑Produktfamilie‑Treiber in SO‑14W‑/SO‑16W‑Gehäusen.
Texas Instruments TXB0604 Automatisch Bidirektionaler Pegelumsetzer
05.13.2026
05.13.2026
Nicht-invertierender, automatisch bidirektionaler Umsetzer, der zwei separate konfigurierbare Stromversorgungsschienen verwendet.
Intel D-1533N Intel® Xeon® Prozessor
05.12.2026
05.12.2026
Embedded-Server-Prozessor mit 6 Cores (12 Threads) auf Basis der Broadwell-Architektur (14 nm).
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