Neueste MOSFETs – Mouser Österreich

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ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

08.19.2025

- MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.06.2025

- Dieser MOSFET ist ein Fahrzeug-Leistungs-MOSFET, der über die AEC-Q101-Qualifikation verfügt.

ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

08.04.2025

- MOSFET in Automobilqualität mit AEC-Q101-Qualifizierung in einem HSMT8AG-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs

07.22.2025

- Automobilstandard-MOSFETs, die AEC-Q101-qualifiziert sind und sich ideal für Fahrzeuganwendungen eignen.

ROHM Semiconductor RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs

07.22.2025

- AEC-Q101-qualifizierte Automobilstandard-MOSFETs für FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS, & Karosserie.

ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie.

ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch-Leistungs-MOSFET

03.12.2025

- Bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V mit niedrigem On-Widerstand in einem Hochleistungs-TO263AB-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RS7 Leistungs-MOSFETs

01.16.2025

- Entwickelt für den Einsatz in Motorantrieben, Schaltanwendungen und DC/DC-Wandlern.

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.01.2024

- 40 V, 80 A, 100 % Avalanche-getestet, AEC-Q101-qualifiziert und RoHS-konform.

ROHM Semiconductor BSS138WAHZG Kleinsignal-n-Kanal-MOSFET mit 60 V und 310 mA

06.20.2024

- Verfügt über verschiedene Funktionen zur Optimierung von Leistung und Zuverlässigkeit.

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs

06.11.2024

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Automobilqualität in einem kleinen Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm mit hoher Leistung.

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Filtern nach:

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

10.21.2025

- Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs

10.02.2025

- Bietet maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten.

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

09.30.2025

- Hochleistungs-N-Kanal -Transistoren für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsanwendungen.

Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

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