Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

08.29.2025

- Mit einer Verlustleistung von 150 mW und 300 mW und AEC-Q101-Qualifikation.

Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden

04.04.2025

- Diese SiC Schottky-Barriere-Dioden haben eine repetitive Spitzensperrspannung (VRRM) von 1200 V.

Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

10.14.2024

- Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.

Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.13.2024

- Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.10.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

08.12.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

05.13.2024

- Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.

Toshiba XCUZ Zenerdioden

01.23.2024

- Für die Verwendung in der Automobilindustrie ausgelegt, verfügt über eine Verlustleistung von 600 mW und ist AEC-Q101-qualifiziert.

Toshiba TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

07.26.2023

- Diese 650-V-Bauteile basieren auf der Technologie der dritten Generation, die Schottky-Metall verwendet.

Toshiba SSM14N956L MOSFET

06.09.2023

- Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

02.13.2023

- Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.

Toshiba CSLZ Zener-Dioden

11.21.2022

- In einem kleinen SL2-Gehäuse untergebracht.

Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

07.11.2022

- Ausgelegt für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC-Eingang und AC-DC-Netzteile.

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Filtern nach:

Texas Instruments 2N7002L 6V N-channel MOSFETs

05.18.2026

- Designed to minimize the on-state resistance while maintaining fast switching performance.

Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05.12.2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse QVx35xHx Hochtemperatur-Alternistor-TRIACs

04.24.2026

- Bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in den Gehäusen TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse SJx08x Hochtemperatur-SCRs

04.24.2026

- Spannung bis zu 800 V, Stoßstromfähigkeit bis zu 100 A und eine Nenntemperatur von +150 °C.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03.24.2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

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