Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 224
Diodes Incorporated API21550Q Isolated Half-Bridge Gate Driver
05.21.2026
05.21.2026
The device offers 5V, 8V, and 12V VDD UVLO options for driving GaN, MOSFETs, and IGBT/SIC devices.
Apogee Semiconductor AP54RHC420 Latch
05.21.2026
05.21.2026
Radiation-hardened by design, a dual quad-SR latch with cold sparing and Schmitt trigger inputs.
Microchip Technology EV17P63A Curiosity Nano Evaluierungskit
05.19.2026
05.19.2026
Das kostengünstige Board erleichtert die einfache Evaluierung und Einführung von 32-Bit-dsPIC33A-DSCs.
Diodes Incorporated APR3492 Dual-Channel MOSFET-Treiber
05.19.2026
05.19.2026
Ein sekundärer MOSFET-Treiber für Synchrongleichrichtung in LLC-Resonanzwandlern.
Texas Instruments TPLD2001 Programmierbar Logikbausteine
05.19.2026
05.19.2026
Verfügen über vielseitige programmierbare Logik-ICs mit kombinatorischen, sequentiellen und analogen Blöcken.
Hailo Hailo-8 AI Processor
05.19.2026
05.19.2026
Features up to 26 tera-operations per second (TOPS) in a size smaller than a penny.
Hailo Hailo-8L Entry-Level AI Accelerator
05.19.2026
05.19.2026
Designed to support entry-level products requiring limited AI capacity or lower performance.
Hailo Hailo-8R Mini PCIe AI Acceleration Module
05.19.2026
05.19.2026
Plugs into an existing edge device with a PCI Express Mini (mPCIe) Full-Mini socket.
Advantech ASR-A701 Development Kit mit GMSL-Kameralösung
05.19.2026
05.19.2026
Eine Edge-AI-Entwicklungsplattform zur Beschleunigung der Entwicklung autonomer Systeme und Robotik.
Texas Instruments MUX80X-Q1 Einzelne 8:1- und duale 4:1-Multiplexer
05.19.2026
05.19.2026
Analoge Hochspannungs-Multiplexer in den Konfigurationen 8:1 (einendig) und 4:1 (differenziell).
Texas Instruments INA151 Präzisions-Differenzverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Mit einem Eingangs-Gleichtaktspannungsbereich von bis zu 110 V über der negativen Versorgungsspannung (empfohlen).
Texas Instruments OPA2486 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Operationsverstärker mit 48 V, geringem Rauschen, großer Bandbreite, niedrigem Stromverbrauch und Nullpunktdrift.
Texas Instruments TLV2886 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Operationsverstärker mit geringem Rauschen, großer Bandbreite, Nullpunktdrift und einem proprietären MUX-freundlichen Eingang.
Texas Instruments OPA4488 Operationsverstärker
05.18.2026
05.18.2026
Mux-freundliche Operationsverstärker mit 48 V, großer Bandbreite, geringem Rauschen und Nullpunktdrift.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05.18.2026
05.18.2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
Intel Arc™ Pro B65 Grafikverarbeitungseinheit (GPU)
05.14.2026
05.14.2026
Verfügt über 32 GB GDDR6-Speicher, eine hohe Speicherbandbreite und XMX-KI-Engines.
Diodes Incorporated AP68065xQ/AP68105xQ Synchrone Abwärtswandler
05.14.2026
05.14.2026
Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Schaltsteuerung erfordern.
Littelfuse Omnipolarer TMR-Schaltsensor mit Push-Pull-Ausgang
05.14.2026
05.14.2026
Das Bauteil stellt einen digitalen magnetischen Schalters mit hoher Empfindlichkeit und niedrigem Stromverbrauch bereit.
STMicroelectronics L99MH94/L99MH92 Halbbrücken-Vortreiber
05.14.2026
05.14.2026
Diese Bauteile sind zur Steuerung von bis zu acht n-Kanal-MOSFETs vorgesehen.
DFRobot NVIDIA® Nano™ & Xavier™ NX Jetson Carrier Board
05.13.2026
05.13.2026
Created to bridge the gap between theoretical AI concepts and practical edge computing deployment.
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluierungsboard
05.13.2026
05.13.2026
Entwickelt zur Evaluierung der Dual‑Channel‑GATE‑Produktfamilie‑Treiber in SO‑14W‑/SO‑16W‑Gehäusen.
Texas Instruments TXB0604 Automatisch Bidirektionaler Pegelumsetzer
05.13.2026
05.13.2026
Nicht-invertierender, automatisch bidirektionaler Umsetzer, der zwei separate konfigurierbare Stromversorgungsschienen verwendet.
Diodes Incorporated PI6CL10806/PI6CL10808 LVCMOS Uhrenpuffer
05.13.2026
05.13.2026
Liefert 6 oder 8 Ausgänge, eine 1,0 V bis 1,8 V Stromversorgung und einen Ausgangs-zu-Ausgangs-Skew von nur 40 ps.
Intel D-1533N Intel® Xeon® Prozessor
05.12.2026
05.12.2026
Embedded-Server-Prozessor mit 6 Cores (12 Threads) auf Basis der Broadwell-Architektur (14 nm).
Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage
05.12.2026
05.12.2026
Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.
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