8 Mbit SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM CY62157H30-45BVXAT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM CY62157H30-45BVXA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM Micropower SRAMs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44