2 Mbit SRAM

Ergebnisse: 198
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v 40Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 178Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 376Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 458Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray 21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
5 929Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
40erwartet ab 29.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
105erwartet ab 03.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
ISSI SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
280erwartet ab 29.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray

Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 128K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 675
Mult.: 675

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 128K X 18 3.3V SYNC DP RA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 21
Mult.: 7

2 Mbit 128 k x 18 3.6 ns 166 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-208 Tray