16 Mbit SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C1069GN30-10ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7C1069GN30-10ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 540
Mult.: 540

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY7S1061G30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With PowerSnooze Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7S1061G30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Tray
Renesas Electronics RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape

Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 2M x 8, 3.3V, 48pin TSOP I, 10ns, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel

Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 1024K x 16, 3.3V, 48pin TSOP I, 10ns, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 16Mb, , 1M x 16, 2.7 3.6V, 48pin TSOP I (12 x 20mm), 45ns, Industrial Temp, B Die Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 16Mb, , 1M x 16, 2.7 3.6V, 48pin TSOP I (12 x 20mm), 45ns, Industrial Temp, B Die, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400
Nein
16 Mbit 1 M x 16 10 ns 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 4 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 4 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tube
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel