1 Mbit SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 235 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 48
Mult.: 6

1 Mbit 64 k x 18 4.2 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 460 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 48
Mult.: 6

1 Mbit 32 k x 36 12 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 515 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

Renesas Electronics SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray