Infineon SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 1 M x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

36 Mbit 1 M x 36 2.5 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

36 Mbit 1 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 1 M x 36 3.2 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

36 Mbit 1 M x 36 3.2 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

36 Mbit 1 M x 36 3.2 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 133MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 3.3V 2M x 36 133Mhz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 4M x 18 200Mhz Pipeline SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 360
Mult.: 1 360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 333MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 360
Mult.: 1 360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 810 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 750 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray